1. セラミック系材料（主流の選択肢）

• ハイQセラミックス ： のような チタン酸マグネシウム（MgTiO₃）、チタン酸ストロンチウム（SrTiO₃）、チタン酸カルシウム（CaTiO₃） 高い誘電率（εᵣ ≈ 20～100）と低い損失（tanδ < 0.0002）を特徴とし、高周波、低挿入損失の用途に適しています。

• 温度安定性セラミックス ： のような マグネシウムアルミン酸塩（MgAl₂O₄）および改良型チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）組成物 温度係数（τf）はドーピングによってほぼゼロまたは制御された値に調整され、基地局のような過酷な環境の要求を満たします。

2. 新規複合材料

• 低温同時焼成セラミックス（ LTCC ） ： のような ガラスセラミック複合システム （例えば、ホウケイ酸ガラス＋セラミック充填材）低温焼結能力と良好な高周波性能のバランスをとる。
• ポリマー系複合材料 ： のような PTFE/セラミック粉末混合物 誘電率（εᵣ ≈ 2～10）を調整可能で、フレキシブル回路やミリ波帯に適しています。

主要な材料選定基準 誘電率 (εᵣ) はデバイスのサイズを決定し、損失正接 (tanδ) は Q 値に直接影響し、温度係数 (τf) は周波数安定性を左右します。現在の 5G/6G 開発は高周波材料の研究開発を推進しており、 高純度アルミナ（Al₂O₃） そして 窒化アルミニウム（AlN） ミリ波アプリケーションでの利用が増加している。

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